センターの研究成果が専門図書として出版
2006年11月17日 (金)
センターの研究成果が専門図書として出版
ナノ材料マイクロデバイス研究センターにおけるハイテクリサーチプロジェクトの一環として研究がなされている，テラヘルツ受発光素子用材料としても注目されている InAs/AlGaSb 系材料の研究成果がシーエムシー出版からの単行本に出版されました．書名は「高周波半導体材料・デバイスの新展開」で，そのうち１２頁分の「InAs 系ヘテロ接合デバイスと MBE 成長技術」を，佐々教授と井上教授（共に本学大学院電気電子工学専攻，ハイテクリサーチプロジェクトメンバー）が執筆しました．
内容は，過去10年以上にわたって本学の研究成果として蓄積された InAs 系ヘテロ接合デバイスの材料作製技術とデバイス加工技術をまとめたもので，分子線結晶成長技術による結晶成長技術とその評価技術から，トランジスタの高性能化や一次元構造による高速性の改善など多岐にわたる内容を含んでいます．さらに，電子波デバイスへの応用可能性や InSb 系超高速・低消費電力トランジスタに関する最近の研究動向についても触れられています．
