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新着情報

ナノ材料マイクロデバイス研究センター

N-station

センター利用の学生が学会賞をダブル受賞

2010年8月10日 (火)

 当センターで研究をしている辻 久美穂さん(工学研究科電気電子工学専攻 博士前期課程2年)が,このたび2つの学会,日本材料学会半導体エレクトロニクス部門と米国電気電子工学会の電子デバイス部会関西支部(IEE EDS Kansai Chapter)から,優秀講演賞をダブル受賞しました.心からお祝い申し上げます.

 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門からの受賞は,同部門が本年5月8日に大阪大学吹田キャンパスで開催した「平成22年度第1回研究会」での講演「ガラス基板上へのイオン感応性酸化亜鉛トランジスターの作製と評価」に対する学生優秀講演賞,IEEE EDS Kansai Chapterからの受賞は,同支部が本年5月13,14日に関西大学千里山キャンパスで開催した「次世代電子デバイスに関する2010年度国際会議(2010 IMFEDK)」での講演「Micro-fabrication and characterization of an ion-sensitive ZnO-based transistor on glass substrate」に対するStudent Awardです.
 どちらも辻さんが筆頭著者として口頭発表し,電気電子工学専攻 博士前期課程1年の野上隆弘君,研究を指導する電気電子工学専攻の小池一歩准教授,尾形健一研究員,佐々誠彦教授,井上正崇教授,矢野満明教授との共著論文で,ワイドギャップ半導体の酸化亜鉛ガラス基板上に作製したイオン感応トランジスターの微細化と特性改善に関する内容です.環境や人体に優しく低温での作製が可能な酸化亜鉛の特性を活かした次世代医用電子デバイスとして注目を集め,当人の貢献度ならびに落ち着いた発表態度と周到なプレゼンテーションが高く評価されました.
 辻さんは本学電子情報通信工学科での卒業研究のときから当該研究に取り組んでおり,「先輩の皆様が積み上げてきた研究成果を代表して受賞できたもので,実験を手伝ってくれた仲間に感謝するとともに,これからも一層の成果があげられるよう頑張ります」と話しています.今回の受賞が修士論文に活かされることは勿論,就職が内定しているセンサー関係の大手企業での活躍にも励みになることを期待しています.


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写真左:日本材料学会半導体エレクトロニクス部門からの賞状を手にする辻さん
写真右:IEEE EDS Kansai Chapterからの賞状と記念盾を手にする辻さん