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大阪工業大学
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教育活動

  ナノ材料マイクロデバイス研究センターでは、大阪工業大学大学院工学研究科の大学院生および工学部の学部学生に対するハイテク教育の一端をクリーンルームを利用した学生実験を実施することにより担っています。

  現在は、大学院工学研究科の大学院生および工学部の電気電子システム工学科3年次生、電子情報通信工学科2年次生に対し、以下のような内容で学生実験を実施しています。

  工学部の実験では、ティーチングアシスタントを導入し、細かな指導を行っています。

教育活動 大阪工業大学学部 大阪工業大学大学院

大学院工学研究科 学際科目

実施科目:材料・デバイス開発実務特論

概要
  企業における開発実務者に要求される幅広い実務能力のうち、ハイテク大型機器を使った材料・デバイス分野の実験・解析能力と、これによって明らかにした技術的知見を特許として出願する能力を、講義と実験実習を組み合わせた少人数教育で養成する。
工学分野内容(例)
  • X線回折による結晶構造解析
  • 走査電子顕微鏡を用いた微細構造観測と組成分析
  • フォトルミネセンスによる半導体の電子構造解析
  • 金属ナノ粒子/高分子複合材料の作製と分光光度計およびTG/DTAによる物性評価
知財分野内容
  • 企業における知的財産の位置と技術者の役割
  • 特許明細書概論
  • 特許明細書作成実務演習(機電系)
  • 特許明細書作成実務演習(化学系)
特別講義
  • 材料・デバイス分野の第一線で活躍される外部講師による講演

電気電子システム工学科

実施科目:電気電子システム実験b(3年次)

実験テーマ
半導体基礎物性の評価
  ホール測定により、キャリアの種類を判定し移動度を測定する。また、液体窒素を使用し低温から室温までの移動度の温度変化を測定することで、キャリア散乱のメカニズムについて学ぶ。
ショットキーダイオードの作製と測定
  導体(GaAs)に金属(Au)を蒸着し、ショットキーダイオードを作製する。ダイオードの作製を通して蒸着装置の使用法を学び、クリーンルーム作業を体験する。作製したダイオードの電流・電圧特性および電圧・容量特性を測定する。
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の作製と測定
  衛星放送に利用されている、超低雑音トランジスタのゲート作製プロセスを実習し、トランジスタ特性の測定およびその解析を行う。

実施科目:電気電子システムPBL(3年次)

  卒業研究の入門的な内容に相当する課題に取り組むことで、電気電子システムの技術者として重要な基礎を学習・習得するとともに、学生が主体的にグループワークを行い、ディベートや試行錯誤を行うことによりコミュニケーション能力や成果発表によるプレゼンテーション能力の習得を目指すPBL(Project Based Learning)科目である。複数の課題のうち以下の2課題においては、クリーンルーム及びセンターに設置の複数の先端分析・評価装置や加工装置を利用し、半導体物性の評価や微細加工プロセス、電子回路について学び、課題解決に取り組む。

実験テーマ
(1)ホール効果を利用した磁気センサーの作製
  ホール効果を利用した磁気センサーを作製する。磁気を読み取るセンサー部は、半導体薄膜を利用してホール素子を形成し、そのホール電圧を出力として読み取る検出回路と組み合わせた構成とする。センサーの設計やセンサー部の高感度化の検討を通して、半導体物性や電子回路の理解を深める。
(2)酸化物薄膜トランジスターの作製
  透明ワイドバンドギャップ半導体である酸化亜鉛を用いて薄膜トランジスタ(TFT)を作製する。教科書や国内外の論文を参考に、最適なチャネルの膜厚や電極材料などを選択し、ナノ材料マイクロデバイス研究センターのさまざま装置を利用しながら、より高性能なTFTを実現できるよう試みる。課題の探求を通して、材料探索からデバイス開発までの一貫したプロセス技術を学ぶことを目的とする。

電子情報通信工学科

実施科目:電子情報通信実験Ⅱ(2年次)

実験テーマ
金属蒸着膜の作製と測定
  ガラス基板上に種々の厚さの金属薄膜を真空蒸着法で作製し、四端子法で測定した抵抗とスタイラス法で測定した膜厚の関係を調べる。また、ルツボ(蒸着源)と基板の幾何学的配置から予想される膜厚分布を実験値と比較する。
クリーンルーム見学と半導体デバイス作製行程の見学
  クリーンルームの構造を理解しパーティクルカウンターでクリーン度を計測する。半導体結晶の作製、加工、評価装置を見学し、実物によるシリコン集積回路(IC)製造工程を学習する。
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