ナノ材料マイクロデバイス研究センター利用の学生が学会奨励賞を受賞
2013年6月26日
- 当センターで研究をしている向井和哉君（工学研究科電気電子工学専攻 博士前期課程2年）が，このたび米国電気電子工学会の電子デバイス部会関西支部（IEEE EDS Kansai Chapter）が主催する「次世代電子デバイスに関する2013年度国際会議（2013IMFEDK）」の学術講演で，学生講演賞（Student Award）を受賞しました．心からお祝いを申し上げます．
IMFEDKはIEEE関西支部の開催する国際会議として毎年春に開催され，向井君が受賞した本年度は6月4，5日に関西大学千里山キャンパスで開催した「次世代電子デバイスに関する2013年度国際会議（2013 IMFEDK）」での講演「Growth of a sputtered Ta2O5/ZnO film and its application to an ion-sensitive field-effect transistor」に対するStudent Awardです．受賞対象となった講演は筆頭著者（登壇者）の向井君が，電気電子工学専攻 博士前期課程1年の大仲崇之君，学部4年生の池谷謙君，研究を指導する電気電子工学専攻の小池一歩准教授，前元利彦准教授，佐々誠彦教授，矢野満明教授と連名で行ったもので，ガラス基板上へ透明な五酸化タンタル／酸化亜鉛ヘテロ接合膜をスパッタ成長し，それを高性能なイオン感応性電界効果トランジスターへ応用した結果を発表しました．
試作したセンサーはシリコンを用いた市販品と比較して同等もしくはそれ以上の性能で，かつ，外部光による誤動作が少ない（透明であるため可視光に対する光電流の発生が少ない）という特徴を有します．このことから，今後の医用電子分野で注目されるデバイスとして評価されました．
向井君は本学電子情報通信工学科での卒業研究のときから当該研究に取り組んでおり，「私だけの努力ではなく，共に研究に励んだ仲間の協力や先生方からの多大なご指導，歴代の先輩方の研究成果の積み重ねのお陰です．今後も研究に励み成果を上げたいです．」と話しています．
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