ナノ材料マイクロデバイス研究センター利用の学生が学生発表賞を受賞

2017年8月9日

授賞式写真

ナノ材料マイクロデバイス研究センターで研究をしている新屋翔太郎君(工学研究科電気電子工学専攻 博士前期課程2年)が、6月29日、30日の2日間にわたり京都市内で開催されたIEEE主催の国際会議The 2017 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2017) において学生発表賞 (Student Award) を受賞しました。心からお祝いを申し上げます。
 受賞対象となった講演は「Heプラズマ処理が酸化亜鉛薄膜トランジスタに及ぼす影響」という題目の発表で、電気電子工学専攻の佐々誠彦教授、前元利彦教授、小山政俊特任講師の指導のもとに進めた研究の成果です。今回の発表は,ショートプレゼンテーションとポスター発表で多数の発表の中からの受賞となりました。この受賞は、本人の貢献度はもちろん周到に準備したプレゼンテーションやポスター展示での質疑応答が高く評価された結果です。
 発表の内容は、 酸化亜鉛薄膜トランジスタの高性能化に対する寄生抵抗成分の低減に関するもので、これまでHe処理による半導体層自身の低抵抗化の報告があったものを、コンタクト部分への影響に着目して研究した成果が認められ、受賞に到りました。
 この受賞を糧に,今後は社会に出て,より一層の飛躍を期待したいと思います。

ページを閉じる