ナノ材料マイクロデバイス研究センター利用教員が研究ブランディング事業 第４回研究会で研究報告を実施しました
2018年10月25日
- １０月２５日（木）に工学部・ロボティクス＆デザイン工学部・知的財産学部の学部横断による研究ブランディング事業OIT-Pの２０１８年度第４回研究会を大宮キャンパスで実施しました。研究会では、センター利用の小山先生と佐々先生が研究成果を報告しました。報告内容は以下の通りです。
工学部 電気電子システム工学科 小山 政俊講師
一昨年から取り組んでいるミストCVD法を用いた酸化物薄膜成長について、装置の立ち上げから最近の研究進捗について報告した。研究の進捗状況は、深紫外線検出のためのGa2O3薄膜の成長やそのセンサ試作状況を報告し、明瞭なUV-C光に対する検出特性や暗電流の改善が必要な点について説明した。また、Ga2O3の結晶多型のうち自発分極を有するε-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長についても並行して検討しており、Si基板上の３C-SiCテンプレート基板にε-Ga2O3単相薄膜を成長することに成功した結果について報告した。
工学部 電気電子システム工学科 佐々 誠彦教授
最初に、企業・大学での研究経歴を説明し、大学での研究対象材料は、InAs系材料と酸化物材料であることを説明した。その後、InAs系材料を使ったテラヘルツ発光素子の開発経緯と現状を報告し、プロジェクトで進めるヘテロ構造を利用した新構造で放射の増強を達成したことを報告した。また、この技術をより使いやすい波長 (1.55 µm）で利用するための初期実験の結果および窒化ガリウムのヘテロ構造を利用した受光素子の試作が終了したことを報告した。
以上
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