研究ブランディング事業 第４回研究会を開催しました

・日時：２０１８年１０月２５日（木）13:00～15:15
・場所：大宮キャンパス５号館　５階　５５１教室
・内容：OIT-Pの取り組みについて（小寺副学長）、
　　　　研究成果の報告（小山講師、佐々教授、倉前准教授）、
　　　　今後の計画と予算、年度報告書の件（前元教授、小池教授）
　　　　
　今回は今年度第４回の研究会で、小山講師、佐々教授、倉前准教授のご発表に対して、メンバーから活発な質疑応答が交わされました。
　研究会の冒頭に、小寺副学長から研究ブランディング事業の進展とともに、以前に比べて、教育、研究、に加えて学外への発信も大変多くなって来ている、とのお話しがありました。最後に、前元教授から研究ブランディング事業として、今年度は10月に続き、11月、１２月にも大阪で展示会に研究紹介を出展することと、2月下旬には、本学大宮キャンパスにで公開セミナーを予定しているとのお話しがありました。

工学部　電気電子システム工学科　小山　政俊講師

　一昨年から取り組んでいるミストCVD法を用いた酸化物薄膜成長について，装置の立ち上げから最近の研究進捗について報告した．研究の進捗状況は，深紫外線検出のためのGa2O3薄膜の成長やそのセンサ試作状況を報告し，明瞭なUV-C光に対する検出特性や暗電流の改善が必要な点について説明した．また，Ga2O3の結晶多型のうち自発分極を有するε-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長についても並行して検討しており，Si基板上の３C-SiCテンプレート基板にε-Ga2O3単相薄膜を成長することに成功した結果について報告した．

工学部　電気電子システム工学科　佐々　誠彦教授

　最初に，企業・大学での研究経歴を説明し，大学での研究対象材料は，InAs系材料と酸化物材料であることを説明した．その後，InAs系材料を使ったテラヘルツ発光素子の開発経緯と現状を報告し，プロジェクトで進めるヘテロ構造を利用した新構造で放射の増強を達成したことを報告した．また，この技術をより使いやすい波長 (1.55 µm）で利用するための初期実験の結果および窒化ガリウムのヘテロ構造を利用した受光素子の試作が終了したことを報告した．

ロボティクス＆デザイン工学部　ロボット工学科　倉前　宏行准教授

　最初に，これまで取り組んできたマルチスケール・マルチフィジックス有限要素解析の概要について説明した．続いて，現在研究を進めている抵抗スポット溶接のマルチスケール有限要素解析法について紹介した．接触電気抵抗評価方法として従来の実験経験則であるBabuらのモデルについて，その利点と技術課題を説明し，本研究の目的を説明した．厚さの異なる2枚の440MPa級鋼板の溶接解析について，ミクロ接触電気抵抗解析のためのレーザー顕微鏡による鋼板表面性状計測に基づくミクロ有限要素モデル構築方法，および解析結果を説明した．特に，鋼板表面の酸化皮膜を考慮することにより，妥当な解析結果が得られたことを報告した．

以上