平成19年度第3回ハイテクリサーチ研究会を実施
2007年9月29日 (土)
後期授業が始まって２週間目となる９月２９日（土），平成１９年度の第３回ハイテクリサーチ研究会（学内）が下記のように実施されました．８月の第２回研究会に引き続き，それぞれのグループから代表者１名に最近の研究内容を報告して戴きました．参加メンバー各自の研究との接点を探るべく，専門領域を超えた熱心な質疑応答が行われました．また，１０月中旬に実施する学外展示会での研究成果発表と，11月２日開催の第２回ハイテクシンポジウムに関する打ち合わせが行われました．
記
１．日時 ２００７年９月２９日（土曜日），１０：００〜１２：１５
２．場所 工学部 電子情報通信工学科 会議室
３．内容 １）ナノ構造複合材研究グループ報告
（中村，シランカップリング剤処理層のナノ構造制御）
２）ナノ半導体基盤材料研究グループ報告
（矢野，ＣｄＴｅ半導体障壁層中に埋め込んだＰｂＳｎＴｅ
微少ギャップ半導体等方位量子ドットの作製と発光特性）
３）ナノ・マイクロプロセス研究グループ報告
（小寺，電子線を照射された絶縁物の帯電現象とそのシミュレーション）
４）１０月１８，１９日開催の「知財ビジネスマッチングフェア２００７」
への研究成果出展について（矢野）
５）11月２日開催の「第２回ハイテクシンポジウム」のプログラムと実施
詳細について（矢野）
写真は研究報告をする中村先生