Electric field dependence of terahertz wave emission in temperature-controlled GaAs epitaxial films
半導体結晶内部の電場を制御するためには、外部バイアスを印加する方法が一般的ですが、
そのためには複数種類の薄膜や電極などを結晶に付加する必要があります。
一方、半導体結晶表面では、表面特有の電子状態に由来した表面電場が形成されている場合があります。
本研究では、この表面電場を結晶温度で制御することにより、超短光パルス照射で発生する
テラヘルツ波の電場依存性を単純な半導体構造で観測することに成功しました。
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