Characteristics of terahertz wave emissions under the coexistence of different sub-picosecond transient phenomena in GaAs epitaxial films
半導体表面にフェムト秒光パルスを照射すると、過渡現象が生じてテラヘルツ波（1012 Hz帯電磁波）が放射されます。
半導体中には異種の過渡現象が同時に励起し得るため、複数のテラヘルツ波成分が重畳して観測される場合があります。
一方、これまでなされてきた研究では、複数の成分が観測されている場合でさえ各成分を個別に議論していました。
本研究では、過渡現象の共存を考慮した理論計算に基づいてテラヘルツ波時間波形の形状解析を行い、
過渡現象の共存がテラヘルツ波放射にどのように反映されているのかを明らかにしました。
|