高周波集積デバイス研究室

A High Sensitivity Serial-Path RF Energy Harvester in 65nm CMOS Technology
Shimpei Imoto, Yoshimori Ryangsu Kaneshiro
国際会議 2025 IEEE Wireless Power Technology Conference and Expo (WPTCE) 口頭（一般）
2025年6月

A Rectenna for RF Energy Harvesting Using a Voltage-Doubling CMOS Rectifier Fabricated in 180-nm Technology
Yoshimori Ryangsu Kaneshiro, Masahiro Hamada, Shiro Dosho
国際会議 2025 IEEE Wireless Power Technology Conference and Expo (WPTCE) 口頭（一般）
2025年6月

移相器による180nm CMOS低損失チューナブルカプラの開発
大室 樹生, 金城 良守
国内会議 2025年 電子情報通信学会 総合大会 口頭（一般）
2025年3月

PLL相互干渉のジッタ検出と低減自動化の検討
大槻 祥太郎、吉村 勉、金城 良守
国内会議 2025年 電子情報通信学会 総合大会 口頭（一般）
2025年3月

倍電圧発生のためのCMOS整流回路の設計検討と評価結果
金城 良守，濱田 昌鴻
研究会 電子情報通信学会 2025年度 第７回無線電力伝送研究会（WPT） 口頭（一般）
2025年3月

4G/5G向け高周波フロントエンドSOI CMOS集積回路の技術と設計
金城 良守
研究会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第179回定例研究会 口頭（招待）
2024年10月

Directivity Improvement of Directional Coupler with Adaptive Complex Termination Impedance
Keisuke Ninomiya , Yuta Miyazaki , Kazuhito Osawa , Kenta Seki , Ryangsu Kim
国際会議 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2023 口頭（一般）
2023年12月

Dual-Band Single-Output WLAN Directional Coupler in a SOI CMOS Process
Ryangsu Kim, Kenta Seki, Kazuhito Osawa
国際会議 IMFEDK 2022 口頭（一般）
2022年11月

A 10.8mA Single Chip Transceiver for 430MHz Narrowband Systems in 0.15um CMOS
G. Hayashi, A. Sawada, T. Morie, K. Matsuyama, Ryangsu Kim, S. Yoshida, A. Matsumoto, K. Hijikata, K. Matsukawa, Y. Tamura, Jun Ogawa, T. Takita
国際会議 ISSCC 2006 口頭（一般）
2006年02月

Realization of ultra-shallow junction: suppressed boron diffusion and activation by optimized fluorine co-implantation
T. Shano, R. Kim, T. Hirose, Y. Furuta, H. Tsuji, M. Furuhashi, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2001 口頭（一般）
2001年12月

Modeling of arsenic transient enhanced diffusion and background boron segregation in low-energy As+ implanted Si
Ryangsu Kim, T. Aoki, T. Hirose, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Shano, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 2000 口頭（一般）
2000年12月

Experiments and modeling of boron segregation to {311} defects and initial rapid enhanced boron diffusion induced by self-implantation in Si
T. Saito, J. Xia, R. Kim, T. Aoki, H. Kobayashi, Y. Kamakura, K. Taniguchi
国際会議 IEDM 1998 口頭（一般）
1998年12月

Photoluminescence study of {311} defect-precursors in self-implanted silicon
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 43 - 45 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語

Atomic configuration study of implanted F in Si based on experimental evidence and ab initio calculations
H. Tsuji, R. Kim, T. Hirose, T. Shano, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Materials Science and Engineering: B 91/92 ( 30 ) 148 - 151 2002年04月
研究論文（学術雑誌） 英語

Influences of point and extended defects on As diffusion in Si
R. Kim, T. Hirose, T. Shano, H. Tsuji, and K. Taniguchi ( 共著 )
Japanese Journal of Applied Physics 41 ( 1 ) 227 - 231 2002年01月
研究論文（学術雑誌） 英語

Anomalous phosphorus diffusion in Si during postimplantation annealing
R. Kim, Y. Furuta, S. Hayashi, T. Hirose, T. Shano, H. Tsuji, and K. Taniguchi ( 共著 )
Applied Physics Letters 78 ( 24 ) 3818 - 3820 2001年06月
研究論文（学術雑誌） 英語

低エネルギー注入ボロンの低温熱処理時におけるキンク濃度の解析
古田善一, 金良守, 夏建新, 青木丈典, 斎藤朋也, 鎌倉良成, 谷口研二 ( 共著 )
電子情報通信学会論文誌 C-II J83-C-II 731 - 735 2000年08月
研究論文（学術雑誌） 日本語

ボロンの過渡拡散におけるバックグラウンド炭素濃度依存性
斎藤朋也, 夏建新, 金良守, 青木丈典, 古田善一, 鎌倉良成, 小林弘幸, 谷口研二 ( 共著 )
電子情報通信学会論文誌 C-II J83-C-II 744 - 748 2000年08月
研究論文（学術雑誌） 日本語

シリコン中の{311}欠陥へのボロンの析出：第１原理計算に基づく検証
小林弘幸, 夏建新, 斎藤朋也, 金良守, 鎌倉良成, 谷口研二 ( 共著 )
電子情報通信学会論文誌 C-II J83-C-II 632 - 635 2000年07月
研究論文（学術雑誌） 日本語

低温熱処理におけるボロンの初期増速拡散
斉藤朋也, 夏建新, 金良守, 青木丈典, 小林弘幸, 古田善一, 鎌倉良成, 谷口研二 ( 共著 )
電子情報通信学会論文誌 C-II J82-C-II 446 - 450 1999年08月
研究論文（学術雑誌） 日本語

Boron segregation to extended defects induced by self-ion implantation into silicon
J. Xia, T. Saito, R. Kim, T. Aoki, Y. Kamakura, and K. Taniguchi ( 共著 )
Journal of Applied Physics 85 ( 11 ) 7597 - 7603 1999年06月
研究論文（学術雑誌） 英語

Studies of boron segregation to {311} defects in Silicon-implanted silicon
J. Xia, T. Saito, R.Kim, T. Aoki, Y.Kamakura, and K.Taniguchi ( 共著 )
Japanese Journal of Applied Physics 38 ( 4S ) 2319 - 2323 1999年04月
研究論文（学術雑誌） 英語

Single electron transistors fabricated with AFM ultrafine nanooxidation process
S. Miyakawa, R. Kim, J. Shirakashi, K. Taniguchi, K. Matsumoto, and Y. Kamakura ( 共著 )
Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics) 81 ( 10 ) 12 - 18 1999年01月
研究論文（学術雑誌） 英語

SPM超微細酸化法を用いた単一電子デバイスの作成
宮川修一, 金良守, 白樫淳一, 谷口研二, 松本和彦, 鎌倉良成 ( 共著 )
電子情報通信学会論文誌 C-II J81-C-II ( 3 ) 285 - 290 1998年03月
研究論文（学術雑誌） 日本語

IEEE APMC 2023 Microwave Prize

Directional coupler
特許
特許：US11837770
Kenta Seki, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年12月05日

Directional coupler
特許
特許：US11699983
Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2023年07月11日

Directional coupler
特許
特許：US11509034
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke Tokuda, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu. Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月22日

Directional coupler
特許
特許：US11489243
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年11月01日

Directional coupler
特許
特許：US11456517
Kenta Seki, Yasushi Shigeno, Daisuke TOKUDA, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu, Kazuhito OSAWA
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年09月27日

Filter module and high frequency module
特許
特許：US11362634
Hisanori Murase, Naru Morito, Hiromichi Kitajima, Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno, Kenta Seki
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2022年06月14日

Directional coupler
特許
特許：US11121444
Kenta Seki, Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2021年09月14日

Bidirectional coupler
特許
特許：US11043978
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2021年06月22日

Bidirectional coupler
特許
特許：US10964996
Ryangsu Kim, Katsuya Shimizu, Yasushi Shigeno, Daisuke TOKUDA, Mikiko Fukasawa
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2021年03月30日

Bidirectional coupler, monitor circuit, and front end circuit
特許
特許：US10461392
Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2019年10月29日

Bidirectional coupler, monitor circuit, and front-end circuit
特許
特許：US10461393
Ryangsu Kim, Yasushi Shigeno
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2019年10月29日

Power-on reset circuit
特許
特許：US9871509
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2018年01月16日

Amplifier
特許
特許：US9337777
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2016年05月10日

Front end device
特許
特許：US9014752
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2015年04月21日

High frequency power detector circuit and radio communication device
特許
特許：US8736249
Ryangsu Kim
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2014年05月27日

Variable gain amplifier and high-frequency signal receiving apparatus comprising the same
特許
特許：US8081033
Ryangsu Kim, George Hayashi
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2011年12月20日

High frequency power detector circuit and radio communication device
特許
特許：US7995977
Ryangsu Kim, Hiroshi Kimura
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2011年08月09日

High-frequency amplifier, and transmission/reception system
特許
特許：US7877063
Ryangsu Kim, Joji Hayashi
出願国：アメリカ合衆国
登録日(発行日)：2011年01月25日

Directional coupler
特許
特許：CN112640201
関　健太、金　良守、清水　克也
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2023年08月01日

Directional coupler
特許
特許：CN114142204
関　健太、金　良守、大澤　一仁
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2023年07月07日

Directional coupler
特許
特許：CN113594659
関　健太、金　良守、大澤　一仁、清水　克也
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2023年05月05日

Directional coupler
特許
特許：CN110875509
関　健太、金　良守、清水　克也
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2023年01月17日

Directional coupler
特許
特許：CN112310590
関　健太、重野　靖、德田　大輔、金　良守、清水　克也、大澤　一仁
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2022年04月22日

Bidirectional coupler
特許
特許：CN110462925
金　良守、清水　克也、重野　靖、德田　大辅、深泽　美纪子
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2021年07月30日

Bidirectional coupler, monitoring circuit and front-end circuit
特許
特許：CN108987873
金　良守、重野　靖
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2021年02月09日

Bidirectional coupler, monitoring circuit and front-end circuit
特許
特許：CN108987872
金　良守、重野　靖
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2021年02月09日

Bidirectional coupler
特許
特許：CN107785641
金　良守
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2020年05月19日

Amplifier
特許
特許：CN104767491
金　良守
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2018年05月01日

Front end device
特許
特許：CN103812520
金　良守
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2015年12月02日

High-frequency amplifier, and transmission/reception system
特許
特許：CN101156316
金　良守、林　錠二
出願国：中華人民共和国
登録日(発行日)：2011年09月07日

方向性結合器
特許
特許：特許第7120177号
德田　大辅、重野　靖、金　良守、清水　克也、大澤　一仁
出願国：日本国
登録日(発行日)：2022年08月08日

方向性結合器
特許
特許：特許第6881406号
関　健太、金　良守、清水　克也
出願国：日本国
登録日(発行日)：2021年05月10日

双方向性結合器、モニタ回路、およびフロントエンド回路
特許
特許：特許第6760315号
金　良守、重野　靖
出願国：日本国
登録日(発行日)：2020年09月07日

双方向性結合器、モニタ回路、およびフロントエンド回路
特許
特許：特許第6635089号
金　良守、重野　靖
出願国：日本国
登録日(発行日)：2019年12月27日

増幅器
特許
特許：特許第5979160号
金　良守
出願国：日本国
登録日(発行日)：2016年08月05日

パワーオンリセット回路
特許
特許：特許第5979162号
金　良守
出願国：日本国
登録日(発行日)：2016年08月05日

フロントエンドデバイス
特許
特許：特許第5630493号
金　良守
出願国：日本国
登録日(発行日)：2014年10月17日

高周波電力検波回路及び無線通信装置
特許
特許：特許第5355687号
金　良守
出願国：日本国
登録日(発行日)：2013年09月06日

可変利得増幅器およびそれを備えた高周波信号受信装置
特許
特許：特許第5296809号
金　良守、林　錠二
出願国：日本国
登録日(発行日)：2013年06月21日

2007年04月-2009年11月 IEEE A-SSCC Technical Program Committee, RF Sub-Committee