工学部 電気電子システム工学科 高周波集積デバイス研究室
研究室の様子

HIGH-FREQUENCY
INTEGRATED DEVICES

RF-CMOS集積回路で、未来のIoT社会を切り拓く

What’s New / 新着情報

ABOUT LAB研究室について

当研究室では、現代のエレクトロニクスの基盤であるシリコン半導体を用いて、高周波集積回路(RF-CMOS)の研究開発を行っています。 IoTや次世代ワイヤレス社会に向けて、デバイスの小型化・超軽量化・バッテリーレス化を可能にする回路技術を探究しています。

主な研究領域

  • 1. 無線電力伝送技術(WPT) 空間を伝送する高周波電波からエネルギーを効率よく回収し、バッテリーなしで半導体チップやセンサを駆動するレクテナ回路・CMOS高効率整流器の研究に取り組んでいます。
  • 2. オンチップ方向性結合器 高周波信号を分配・検出する方向性結合器に対し、移相器を統合した独自の回路アーキテクチャにより、シリコンチップ上で超広帯域・低損失なチューナブル動作を実現します。
  • 3. 高周波フロントエンド回路(RF-FE) Sub-6 GHz帯およびミリ波帯に対応する低雑音増幅器(LNA)や電力増幅器(PA)の高性能化、ノイズキャンセリング技術の開発を進めています。

研究室の運営方針

当研究室は、国籍・地域、所属機関、民族・人種、思想・信条、性別・年齢等での制限・制約は一切設けず、自主・独立、社会的に公正・中立な運営を行っています。 学生一人ひとりの主体的な探究心を尊重し、国内外の学会発表や国際共同研究を通じた実践的な人材育成を重視しています。