教育目的利用
ナノ材料マイクロデバイス研究センターでは、大阪工業大学大学院工学研究科の大学院生および工学部の学部学生に対するハイテク教育の一端をクリーンルームを利用した学生実験を実施することにより担っています。
現在は、大学院工学研究科の大学院生および工学部の電気電子システム工学科3年次生、電子情報システム工学科2年次生に対し、以下のような内容で学生実験を実施しています。
工学部の実験では、ティーチングアシスタントを導入し、細かな指導を行っています。
企業における開発実務者に要求される幅広い実務能力のうち、ハイテク大型機器を使った材料・デバイス分野の実験・解析能力と、これによって明らかにした技術的知見を特許として出願する能力を、講義と実験実習を組み合わせた少人数教育で養成します。
導体（GaAs）に金属（Au）を蒸着し、ショットキーダイオードを作製する。ダイオードの作製を通して蒸着装置の使用法を学び、クリーンルーム作業を体験する。作製したダイオードの電流・電圧特性および電圧・容量特性を測定する。
衛星放送に利用されている、超低雑音トランジスタのゲート作製プロセスを実習し、トランジスタ特性の測定およびその解析を行う。
卒業研究の入門的な内容に相当する課題に取り組むことで、電気電子システムの技術者として重要な基礎を学習・習得するとともに、学生が主体的にグループワークを行い、ディベートや試行錯誤を行うことによりコミュニケーション能力や成果発表によるプレゼンテーション能力の習得を目指すPBL（Project Based Learning）科目です。複数の課題のうち以下の3課題においては、クリーンルーム及びセンターに設置の複数の先端分析・評価装置や加工装置を利用し、半導体物性の評価や微細加工プロセス、電子回路について学び、課題解決に取り組みます。
透明ワイドバンドギャップ半導体である酸化亜鉛を用いて薄膜トランジスタ（TFT）を作製します。教科書や国内外の論文を参考に、最適なチャネルの膜厚や電極材料などを選択し、ナノ材料マイクロデバイス研究センターのさまざま装置を利用しながら、より高性能なTFTを実現できるよう試みます。課題の探求を通して、材料探索からデバイス開発までの一貫したプロセス技術を学ぶことを目的とします。
半導体の光導電効果を利用した紫外線センサーを作製し評価する。UV-C光を選択的に検出するために、酸化ガリウム薄膜を結晶成長し、その薄膜の物性評価、デバイスへの加工を行い出力信号を増幅・外部出力する回路も設計、試作評価まで行う。一連の実験と通して半導体センサーの開発・設計について材料の基礎物性から 電子回路まで理解を深める。
ガラス基板上に種々の厚さの金属薄膜を真空蒸着法で作製し、四端子法で測定した抵抗とスタイラス法で測定した膜厚の関係を調べます。また、ルツボ（蒸着源）と基板の幾何学的配置から予想される膜厚分布を実験値と比較します。
クリーンルームの構造を理解しパーティクルカウンターでクリーン度を計測します。半導体結晶の作製、加工、評価装置を見学し、実物によるシリコン集積回路（IC）製造工程を学習します。
