グラフェンは高い電子・正孔移動度を持ち，次世代トランジスタの材料の可能性も秘めています。単層グラフェンや2層グラフェンのトンネル電界効果トランジスタを作製し、その電気特性について研究を行っています。最近、様々な原子層薄膜を積層させたファンデルワールスヘテロ接合や、グラフェン表面に異種原子・分子を吸着させた系などに注目が集まっていますが、本研究でも、グラフェン以外にMoS2薄膜の作製や、グラフェン表面にIn2O3ナノ粒子を表面吸着させたトランジスタを作製しています。また、遷移金属元素のFeや希土類元素のDyを添加した酸化インジウムスズ(Fe-ITO，Dy-ITO)の薄膜を作製しています。これらをガラス基板上にスピンコートすることが可能で、プリンテッドエレクトロニクスを実現することができます。