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工学部

電気電子システム工学科 次世代デバイス・プロセス研究室


半導体集積回路やパワー半導体は、長年シリコンを母材として発展してきましたが、近年はより高性能・高機能化のために新材料が導入されてきました。本研究室では、新しい材料・プロセスの観点から半導体工学に取り組み、よりよい社会を実現 する次世代デバイスの開発を行っています。具体的には、酸 化物材料を用いた半導体デバイスの高性能化や、パワー半導体として注目される窒化物半導体材料と酸化物材料のハイブ リッド構造を用いた新規デバイスの開発を行っています。


主な研究テーマ

  • InAs系ヘテロ構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発
  • 酸化物半導体表面のプラズマ処理に関する研究
  • 酸化物/窒化物半導体複合構造を用いた新規デバイスの開発

指導教員

小山 政俊 講師 (コヤマ マサトシ)

専門分野

  • 半導体工学
  • 半導体プロセス工学
  • 窒化物半導体デバイス(GaN-HEMT)
  • 酸化物半導体
  • 化合物半導体プロセス

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